Module thyristor IGBT FS75R12W2T4 FS75R12W2T4_B11

Spécifications d'origine FS75R12W2T4 et FS75R12W2T4_B11

Le Module thyristor IGBT FS75R12W2T4 correspond aux standards industriels requis pour la réparation et l'assemblage de modules d'alimentation de précision. Sa désignation exacte garantit une correspondance parfaite avec les plans techniques de vos circuits électriques d'origine.

Une architecture interne optimisée

Ce module combine des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et des diodes de commutation rapide dans un seul et même boîtier. Cette intégration permet de réduire l'inductance parasite et d'augmenter la vitesse de réponse du circuit face aux commandes électroniques de contrôle.

Données mécaniques et électriques

• Tension maximale absolue : 1200 Volts pour une isolation renforcée.
• Courant collecteur continu : 75 Ampères pour supporter les charges lourdes.
• Technologie de puce : TrenchStop Matrix de quatrième génération.

Ce composant convient pour le remplacement direct sur les circuits imprimés des soudeuses industrielles, des alimentations à découpage et des convertisseurs de puissance utilisés dans les transports et l'énergie renouvelable.